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“涉及到多少事吗?”
“光刻机和芯片已经进入了关键时期,非常缺钱,我认为应该有所侧重!”
“慈善,要量力而行,一旦光刻机和芯片成功,到时候你才真正有钱去做更多的慈善!”
赵岂年点了点头!
慈善,花的是钱,没钱,想做都做不了!
“行,我先慢慢做着,不着急!”
赵龙腾点了点头:“嗯!不说慈善了,说说光刻机!”
“光刻机到了关键时刻,我们已经快速攻克了130纳米,并且又顺利在之前的光刻机上改进出了90纳米光刻机,但是在65纳米光刻机的改进上,我们卡住了!”
对于光刻机技术来说,90纳米是一个技术台阶;45纳米是一个技术台阶;22纳米是一个技术台阶!
从193升级到130纳米,再到90纳米!
90纳米的技术升级到65纳米都不难,难在45纳米上!!
前几年,国内的光刻机技术因为技术本身的壁垒,其实和国外在一个起跑线上!
1965年,国内自主研制的第一块单片集成电路在魔都诞生。
我国步入集成电路时代仅比米国晚了7年,可是比H国早10年。
1977年,GK-3型半自动光刻机诞生!
1978年,1445所在GK-3的基础上开发了GK-4,把加工圆片直径从50毫米提高到75毫米!
1981年,中科院半导体所研制JK-1型半自动接近式光刻机,研制成功两台样机。
米国在20世纪50年代就已经拥有了接触式光刻机,期间相差了二十几年。
1979年,机电部45所开展了分步光刻机的研制,对标的是米国的4800DSW。
1985年,研制出了样机,通过电子部技术鉴定,认为达到4800DSW的水平。
这是中国第一台分步投影式光刻机,采用的是436纳米G线光源,与国外的差距不超过7年!
1990年3月,中科院光电所研制的IOE1010G直接分步重复投影光刻机样机通过评议,工作分辨率1.25微米,主要技术指标接受米国GCA8000型的水平,相当于国外80年代中期水平,差距在五年!
如果不是技术封锁和专利掣肘,国内现在一定不比国外差!
本来就不比国外落后多少,而且,国内的光学技术甚至领先国际!
又加上赵岂年的原因,知道如何打破技术壁垒,一下子跑过了弯道,实现了超车!
在此基础上,再度连续突破,更是天经地义的事情!
而且,在科技界,一旦有了技术积累,在积累的基础上进行突破,会简单很多!
一旦领先,处处领先,甚至不需要担心专利的掣肘!
“被什么卡住了??”,赵岂年思考了一会后,问道。
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