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第584章 丧心病狂的远芯（第1页）

就在张汝金开始介绍起国内光刻机现状时，苏远山笑着打断了他的话。

“张叔，好歹给咱们留点念想……”

张汝金一怔，当见到苏远山嘴角挂起的苦笑时，他也满嘴苦涩，继而笑着摇了摇头。

是的，这玩意，真不能深究。一旦深究下去，就必定落到国内的整体工业状况上去，而这个问题……太具体，也太沉重了，远不是远芯能够承担和讨论得起的。

现在远芯在某些领域看似站在了和国外同行的同一个高度，甚至某些领域还有微弱的领先。但国外的科技企业之下，是整整一座从基础到中端再到高端的金字塔。而远芯，则只是一栋在低矮平房中拔地而起的大厦——更要命的是，承载这座大厦的，还有许多是来自国外的技术。

一座摩天大厦，就算修建得再高，再富丽堂皇。就稳固性而言，永远也不可能和金字塔相提并论。

这便是，为什么剥离代工厂会对远芯造成那么大的影响，苏远山也要坚持优先代工厂的发展的原因。

“光刻机那边，郑工简单地给我通了个气，表示目前暂时还没有受到影响。但他也未雨绸缪，加大了采购力度。”苏远山摇了摇头，眉头轻轻地皱起。

国内光刻机的发展已经偏离了原本的轨迹，从原本的杳无声息到如今能够提供满足国内0.8微米需求的436nm-g-line机型，其实这算一个好消息。

但这也意味着，它将极有可能提前遭到技术封锁。

需要说明一点的是，按照波长和线宽，理论上，g线光源也是可以达到0.25um节点的极限，但由于波长缘故，越是要达到极限，工艺也就越是复杂——如今宏芯的光刻机已经进厂半年多，华晶那边依旧在磨合着依旧很成熟的0.8微米工艺。再加上g线光刻胶目前最高也仅支持到0.5微米，是以……它未来不可期。

并且就连远芯，制程推进也是在尼康i线365nm光刻机的基础上进行，虽然理论最小工艺节点依旧是0.25微米。但波长和线宽的优势，使得其更容易达到节点。

此外，早在去年，intel就推出了基于0.35微米制程工艺的PentiumMMX，轻而易举地就回到了性能王座的同时，也彰显了其晶圆厂强大的制程工艺实力。

根据小道消息，intel的0.25微米工艺也在突破当中。

相比之下，德远这边，还在为0.35微米工艺打着攻坚战。

与此同时，尼康那边已经采用248nm的KrF准分子激光作为下一代光刻机的光源，紧接着便是193nm的ArF——也就是大名鼎鼎的DUV。届时，凭借多重曝光技术，DUV将会把制程节点提高到65纳米的干式光刻极限。

再往后……便是浸没式技术的天下了。

如果说，还有什么能够让苏远山有信心和勇气去直面光刻机的未来，恐怕就是“多灾多难的”双工件台以及目前八字都没一撇的浸没式光刻技术了。

沉默几秒后苏远山沉声道：“对于国家来说，光刻机就是好不容易养出来的金宝贝，不可能就此不管的，我们只需要做好我们应该做的即可。”

说着他用力挥了一下手，仿佛想要挥去阴霾和迷雾。

陈静见状毫不掩饰自己的心疼，轻声道：“要不自由讨论一下？”

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